[发明专利]在处理设备中分离电力域的系统和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

处理核，具有多个子核；

多个电力轨，从所述多个子核中的第一子核跨越到第二子核，所述多个电力轨被配置为向所述第一子核和所述第二子核中的每个子核提供操作电压；以及

多个单元，限定所述第一子核与所述第二子核之间的边界，所述单元中的每个单元在相应电力轨中提供不连续性，其中所述不连续性包括在所述半导体器件的多于一个层中在所述相应电力轨中的中断，其中每个电力轨包括用于VSS的导线和用于VDD的导线，其中所述用于VDD的导线包括所述不连续性。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述单元中的每个单元包括：

第一VDD接触部；以及

第二VDD接触部，所述第一VDD接触部和所述第二VDD接触部构建在所述半导体器件的衬底的共用的N型掺杂区内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一VDD接触部耦合到在所述边界的与所述第一子核相对应的一侧的所述相应电力轨，并且其中所述第二VDD接触部耦合到在所述边界的与所述第二子核相对应的一侧的所述相应电力轨。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一VDD接触部和所述第二VDD接触部不直接与所述N型掺杂区的掺杂半导体材料耦合。

5.一种半导体器件，包括：

处理核，具有多个子核；

多个电力轨，从所述多个子核中的第一子核跨越到第二子核，所述多个电力轨被配置为向所述第一子核和所述第二子核中的每个子核提供操作电压；以及

多个单元，限定所述第一子核与所述第二子核之间的边界，所述单元中的每个单元在相应电力轨中提供不连续性，其中所述不连续性包括在所述半导体器件的多于一个层中在所述相应电力轨中的中断，其中所述单元中的每个单元包括：

浮栅结构；以及

沿着所述单元的范围的多个扩散中断。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

附加电力轨，垂直于所述多个电力轨并且在所述第一子核内与所述多个电力轨耦合；以及

附加单元，在所述附加电力轨中提供不连续性。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述单元中的每个单元具有三个网格单位或更小的宽度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一子核和所述第二子核在分离的电力域中，并且其中所述分离的电力域与分离的电力供应相对应。

9.一种半导体芯片，包括：

多个处理核，设置在所述半导体芯片的半导体材料内，所述核中的第一核具有第一子核和第二子核；

电力轨，从所述第一子核跨越到所述第二子核，所述电力轨包括在所述半导体材料内的导线；以及

单元，在所述电力轨上邻接所述第一子核和所述第二子核，所述单元在所述导线的多个金属层处在所述电力轨中提供不连续性；

附加电力轨，垂直于所述电力轨并且在所述第一子核内与所述电力轨连通；以及

附加单元，在所述附加电力轨中提供不连续性。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中所述单元包括：

第一VDD接触部；以及

第二VDD接触部，所述第一VDD接触部和所述第二VDD接触部构建在所述半导体芯片的衬底的共用的N型掺杂区内。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片，其中所述第一VDD接触部在所述第一子核处耦合到所述电力轨，并且其中所述第二VDD接触部在所述第二子核处耦合到所述电力轨。

12.根据权利要求10所述的半导体芯片，其中所述第一VDD接触部和所述第二VDD接触部不直接与所述N型掺杂区的掺杂半导体材料耦合。