[发明专利]覆盖有硅化合物的金属微粒在审
| 申请号： | 201780027389.0 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109071256A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 榎村真一;本田大介 | 申请（专利权）人： | M技术株式会社 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C01B13/14;C01G49/06;C09C1/24;C09C3/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及覆盖有硅化合物的金属微粒，其特征在于，其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒，上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si‑OH键的比率被控制在0.1％以上70％以下。根据本发明，可以提供通过控制覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si‑OH键的比率或Si‑OH键/Si‑O键的比率，来控制分散性等特性的覆盖有硅化合物的金属微粒。通过控制该Si‑OH键的比率或Si‑OH键/Si‑O键的比率，可以针对覆盖有硅化合物的金属微粒的多样化用途和目标特性，与以往相比容易地设计更精确的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化合物 金属微粒 覆盖 半金属元素 金属元素 目标特性 分散性 | ||
【主权项】：
1.覆盖有硅化合物的金属微粒，其特征在于，其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒，上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si‑OH键的比率被控制在0.1％以上70％以下。
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