[发明专利]覆盖有硅化合物的金属微粒

说明书

本发明涉及覆盖有硅化合物的金属微粒，其特征在于，其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒，上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si‑OH键的比率被控制在0.1％以上70％以下。根据本发明，可以提供通过控制覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si‑OH键的比率或Si‑OH键/Si‑O键的比率，来控制分散性等特性的覆盖有硅化合物的金属微粒。通过控制该Si‑OH键的比率或Si‑OH键/Si‑O键的比率，可以针对覆盖有硅化合物的金属微粒的多样化用途和目标特性，与以往相比容易地设计更精确的组合物。

技术领域

本发明涉及覆盖有硅化合物的金属微粒。

背景技术

金属微粒是广泛用于磁性材料、导电性材料、颜色材料或催化剂等的材料，特别是通过制成1μm以下的微粒，其特性提高，可以成为在用作分散体时等也适合的组合物。但是，在任一种用途中，伴随通过将金属微粒微细化而发生或提高的特性，同时由于在大气中急剧氧化而产生的爆炸反应变得容易发生，通过与水分接触而产生的氧化或氢氧化等，作为金属微粒所期待的特性容易丧失等，因而难以最大限度地利用作为金属微粒的特性。

在解决这些课题方面，如专利文献1或专利文献2所述，在金属微粒的表面覆盖二氧化硅等硅化合物是有效的，但在这些以往的技术中，覆盖状态的控制本身是困难的，因此，通过覆盖硅化合物，对原本金属微粒期待的效果受损，或者得不到严密控制特性的覆盖有硅化合物的金属微粒，被硅化合物覆盖的金属微粒的特性的要因尚不明确。

专利文献3中记载了以控制导电性为目的，通过金属粒子表面的二氧化硅的覆盖量来控制对粒子的覆盖率的覆盖粒子的制造方法，为了提高绝缘性，当然需要提高覆盖率，但如此进行提高覆盖率的处理的覆盖有硅化合物的金属微粒存在在各种分散介质中的分散性显著下降的情况、以及不产生期待的效果等问题，关于尽可能地降低对金属微粒的二氧化硅覆盖量的覆盖有硅化合物的金属微粒，也是产业界所要求的。

关于用二氧化硅的覆盖，专利文献4中记载了将覆盖有二氧化硅的金属氧化物粒子进一步用二甲基乙氧基硅烷这样的疏水性赋予材料进行表面处理的粒子。但是，完全没有公开覆盖有二氧化硅的金属微粒，只不过是公开了以制成化妆品为目的，为了提高覆盖有二氧化硅的金属氧化物粒子在聚甘油三异硬脂酸酯、硅油、角鲨烷等油性分散介质中的分散性，将粒子用疏水性赋予材料进行处理的方法。另外，专利文献4中虽然记载了在红外吸收光谱中在1150～1250cm^-1处观察到的峰是Si-OH的变角振动的吸收，但这个峰通常应该归属于Si-O键，写成Si-OH是明显的误记。另外，专利文献4中记载的红外吸收光谱中的不同的2个峰的比率与覆盖有二氧化硅的金属微粒的特性明显无关，因此，专利文献4中也没有发现覆盖有二氧化硅的金属氧化物中含有的Si-OH键的比率或Si-OH键相对于Si-O键的比率对微粒特性的影响，没有得到严密控制特性的覆盖有硅化合物的金属微粒。

在本申请人的专利文献5中，记载了使用使金属微粒或磁性体微粒等各种纳米粒子在可接近和远离的、相对旋转的处理用面之间析出的方法，制造均匀的金属微粒的方法。但是，专利文献5中记载了关于均匀的金属微粒的制造，但没有记载关于覆盖有硅化合物的金属微粒，当然也没有记载关于由对覆盖有硅化合物的金属微粒的特性的控制、特别是硅化合物中含有的Si-O键或Si-OH键的控制所产生的覆盖有硅化合物的金属微粒的分散性。即，没有公开控制覆盖有硅化合物的金属微粒所显现的特性，正在寻求严密地控制特性的覆盖有硅化合物的金属微粒。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008-264611号公报

专利文献2：特开2007-088156号公报

专利文献3：特开2011-219869号公报

专利文献4：国际公开第2000/042112号小册子