[发明专利]三维存储装置中的阶梯区域之间的直通存储级通孔结构及其制备方法

摘要

本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。

主权项

1.一种半导体结构，包括：存储级组件，所述存储级组件位于半导体基板上方，并且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠，并且还包括存储堆叠结构，所述存储堆叠结构竖直延伸穿过所述至少一个第一交替堆叠；多个横向伸长的接触通孔结构，所述多个横向伸长的接触通孔结构位于相应的沟槽内、竖直延伸穿过所述存储级组件，并且沿着第一水平方向横向延伸，其中所述多个横向伸长的接触通孔结构的第一子集将所述至少一个交替堆叠横向划分成多个横向间隔开的块，其中所述多个块包括三个相邻块的集，所述三个相邻块的集依次包括第一块、第二块和第三块，所述第一块、第二块和第三块沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置；至少一个第二交替堆叠，所述至少一个第二交替堆叠邻接所述第二块，并且包括电介质隔层和所述绝缘层的第二部分的交替层，并且所述电介质隔层中的每一者位于与相应导电层相同的等级处；和至少一个直通存储级通孔结构，所述至少一个直通存储级通孔结构包括导电材料并且竖直延伸穿过所述至少一个第二交替堆叠。