[发明专利]高亮度相干多结二极管激光器有效
| 申请号： | 201780026693.3 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109155502B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈之纲;M·坎斯卡 | 申请（专利权）人： | 恩耐公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了激光二极管((210)、(230))，该激光二极管((210)、(230))形成在具有合适厚度和折射率的层((212)、(228))的公共衬底(236)上，并且产生相干耦合的输出光束。可以定位相位掩模以在所述输出光束中的一个或多个中产生相位差，以产生共同的波前相位。相位校正光束以比非相干耦合的传统激光器减小的角度发散传播，并且相干耦合激光二极管可以提供更高的光束亮度、增强的光束参数积和耦合到光纤激光器中的掺杂光纤中的优异功率。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 相干 二极管 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种多发射器激光二极管，包括：第一有源区，所述第一有源区与激射波长相关联，并且位于内波导层和外波导层之间；第二有源区，所述第二有源区与所述激射波长相关联，并且位于内波导层和外波导层之间，其中所述第一有源区的所述内波导层和所述第二有源区的所述内波导层位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，并且所述第一有源区和所述第二有源区被定位成使得在所述第一有源区中传播的光束光学耦合到所述第二有源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩耐公司，未经恩耐公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780026693.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置及发光装置的制造方法
- 下一篇：可用于高频点火系统的火花塞
