[发明专利]VHF Z线圈等离子体源在审
| 申请号： | 201780025705.0 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109074998A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 金东秀;朱敏秀 | 申请（专利权）人： | 雷特罗萨米科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J1/52 | 分类号： | H01J1/52;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种VHF Z线圈半导体处理等离子体源使用电感耦合等离子体(ICP)，并且具有以两个互连的匝圈缠绕腔室的Z形线圈。通过电源向线圈供应40MHz至120MHz的高频RF电力。被引入到腔室中的工艺气体通过线圈激发，并产生适合于半导体干法刻蚀的高密度的等离子体离子。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体源 电感耦合等离子体 等离子体离子 半导体处理 干法刻蚀 工艺气体 缠绕腔 互连 腔室 匝圈 半导体 电源 引入 激发 | ||
【主权项】：
1.一种甚高频(VHF)Z线圈等离子体源，所述VHF Z线圈等离子体源使用电感耦合等离子体(ICP)产生和注射等离子体，所述VHF Z线圈等离子体装置包括：腔室，用于接收工艺气体以产生等离子体并且用于注射所产生的等离子体；Z形线圈，以两个水平、互连的导体匝圈缠绕在所述腔室上；以及高频RF电源，用于产生待施加至所述Z形线圈的40MHz至120MHz的电力，以由所述腔室内的所述工艺气体产生所述等离子体。
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