[发明专利]镧钨离子源及束线组件有效
| 申请号： | 201780025607.7 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109075000B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·科尔文;哲-简·谢;保罗·西尔弗斯坦 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 刘新宇;寿宁 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入系统，其具有一个或多个导电组件，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件，诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 组件 | ||
【主权项】：
1.一种用于离子注入系统的导电组件，其中，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成，以及其中，在所述离子注入系统操作期间，所述导电组件被大体上钝化。
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