[发明专利]编程过程中与字线相关且与温度相关的通过电压

摘要

本发明提供了用于避免过编程的技术，该过编程可能发生在连接至在字线块的源极侧处的数据字线的存储器单元上。在所述数据字线和相邻的虚设字线之间的编程电压期间产生所述通道电位的梯度。该梯度生成电子‑空穴对，这可能导致过编程，其中所述过编程在较高温度下更严重。在一个方面，当所述温度相对较高时，并且当所述所选择的字线在一个或多个源极侧字线集中时，将未选择的字线的通过电压设置为相对较低。另一方面，当所述温度相对较高时，并且当所述所选择的字线不在所述一个或多个源极侧字线中时，将所述通过电压设置为相对较高。

主权项

1.一种设备，包括：字线集(WL0‑WL10)；串(NS1,NS2,700n‑703n,710n‑713n,720n‑723n,730n‑733n)，所述串包括数据存储器单元(704、705、706、707、708、709、710、711、712、713和714；724、725、726、727、728、729、730、731、732、733和734；744、745、746、747、748、749、750、751、752、753和754；764、765、766、767、768、769、770、771、772、773和774)集，所述数据存储器单元集从在所述串的源极侧(700ss)处的一个或多个源极侧数据存储器单元(704,705；724,725；744,745；764,765)组(700g)延伸至在所述串的漏极侧(700ds)处的漏极侧数据存储器单元(714,734,754,774)，其中所述串为在多个存储器单元串中；温度感测电路(115)，所述温度感测电路被配置为提供指示温度的数据；和控制电路(110,112,114,116,122,128,132)，所述控制电路用于对所述串中的所述数据存储器单元集中的所选择的数据存储器单元进行编程，其中所述所选择的数据存储器单元连接至所述字线集中的所选择的字线，所述控制电路被配置为同时将编程电压(Vpgm)施加于所述所选择的字线并且将通过电压(Vpass)施加于所述字线集中的未选择的字线，并且当所述所选择的数据存储器单元在所述串中的所述一个或多个源极侧数据存储器单元组中时，将所述通过电压的量值设置为与所述温度成反比，而当所述所选择的数据存储器单元不在所述串中的所述一个或多个源极侧数据存储器单元组中时，将所述通过电压的量值设置为与所述温度成比例。