[发明专利]硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片有效
| 申请号： | 201780020471.0 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108886005B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 江里口和隆;佐俣秀一;三次伯知;柾田亚由美 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种硅试样的碳浓度测定方法，其包括以下步骤：向作为测定对象的硅试样中引入氢原子；对引入了所述氢原子的作为测定对象的硅试样进行利用评价方法的评价，所述评价方法在不进行电子束辐射处理的情况下评价硅的带隙中的陷阱能级；以及在通过所述评价而得到的评价结果中，基于选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的评价结果，求出作为所述测定对象的硅试样的碳浓度，所述求出的碳浓度小于1.0E+16atoms/cm |
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| 搜索关键词： | 试样 浓度 测定 方法 硅单晶锭 制造 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种硅试样的碳浓度测定方法，其特征在于包括以下步骤：向作为测定对象的硅试样中引入氢原子；对引入了所述氢原子的作为测定对象的硅试样进行利用评价方法的评价，所述评价方法在不进行电子束辐射处理的情况下评价硅的带隙中的陷阱能级；以及在通过所述评价而得到的评价结果中，基于选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的评价结果，求出所述作为测定对象的硅试样的碳浓度，所述求出的碳浓度小于1.0E+16atoms/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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