[发明专利]部件制造用膜及部件的制造方法有效
| 申请号： | 201780019314.8 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108966672B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林下英司 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J201/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也可以在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法，以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明课题的方法，本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜，具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12，基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1～2.0，Rz(μm)为1.0～15。本方法使用部件制造用膜1，具备单片化工序和拾取工序，在拾取工序前具备评价工序。 | ||
| 搜索关键词： | 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体部件制造用膜，其是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其特征在于，具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
