[发明专利]具有整体像素边界的纳米材料成像探测器有效

专利信息
申请号: 201780019032.8 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN108885273B 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: M·A·查波 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01T1/16 分类号: G01T1/16;G01T1/29
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种成像系统(100)的辐射探测器阵列(112)包括多个探测器模块(114),所述多个探测器模块中的每个包括多个探测器像素(116),所述多个探测器像素中的每个包括整体像素边界(202、204、206、208)和所述整体像素边界内的直接转换活跃区。一种方法包括:利用包括整体像素边界的纳米材料探测器像素来接收辐射;利用所述探测器像素来生成指示接收到的辐射的能量的信号,同时降低像素信号串扰;并且重建所述信号以构建图像。一种成像系统(100)包括:X射线辐射的源,其被配置为发射穿过检查区域的X射线辐射;纳米材料成像探测器,其具有整体像素边界,其中,所述纳米材料成像探测器被配置为探测X射线辐射;以及重建器,其被配置为重建所述纳米材料成像探测器的输出以产生CT图像。
搜索关键词: 具有 整体 像素 边界 纳米 材料 成像 探测器
【主权项】:
1.一种成像系统(100)的辐射探测器阵列(112),包括:多个探测器模块(114),所述多个探测器模块中的每个包括:多个探测器像素(116),所述多个探测器像素中的每个包括:整体像素边界(202、204、206、208);以及直接转换活跃区,其在所述整体像素边界内。
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