[发明专利]湿式洗净装置及湿式洗净方法有效
| 申请号： | 201780018547.6 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN109041579B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 饭野秀章;中田耕次;金田真幸;佐藤大辅 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社;旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01D61/14;B01D71/26;B01D71/56;B01D71/68;B01D71/76;B01F23/237;B01F21/00;B01J41/07;B01J41/13;B01J41/14;B01J47/12;C02F1/44 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是在使用碳酸气体溶解水的湿式洗净工艺中，高度地去除混入于碳酸气体溶解水中的极微小微粒而防止微粒污染，并将被洗净物洗净成高洁净度。本发明的湿式洗净装置，其通过使碳酸气体溶解于超纯水而成的碳酸气体溶解水洗净被洗净物，其特征在于，其具有：碳酸气体溶解机构，该碳酸气体溶解机构使碳酸气体溶解于超纯水中；被洗净物的洗净机构，该被洗净物的洗净机构被供给来自该碳酸气体溶解机构的碳酸气体溶解水；及过滤膜模组，该过滤膜模组设置在将该碳酸气体溶解水供给至该洗净机构的配管上且填充具有阳离子性官能基的多孔性膜。 | ||
| 搜索关键词： | 洗净 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿式洗净装置，其通过使碳酸气体溶解于超纯水而成的碳酸气体溶解水洗净被洗净物，其特征在于，其具有：碳酸气体溶解机构，该碳酸气体溶解机构使碳酸气体溶解于超纯水中；被洗净物的洗净机构，该被洗净物的洗净机构被供给来自该碳酸气体溶解机构的碳酸气体溶解水；及过滤膜模组，该过滤膜模组设置在将该碳酸气体溶解水供给至该洗净机构的配管上并且填充有具有阳离子性官能基的多孔性膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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