[发明专利]识别钥生成装置及其管理方法有效
| 申请号： | 201780018446.9 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108886470B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 崔秉德;金东奎 | 申请（专利权）人： | ICTK控股有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H04L9/32 | 分类号： | H04L9/32;H04L9/08;G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种识别钥生成装置及其管理方法，其根据起源于半导体的工程偏差的所述半导体的导电层之间的任意连接状态生成的多个阻力(resistance)；在所述多个阻力中判别比第一临界值大，比第二临界值小的阻力值的第一组；通过判读在所述多个阻力中不属于所述第一组的至少一个阻力，判读数据值形态的识别钥，从而提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 识别 生成 装置 及其 管理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种识别钥生成装置，包括：识别钥提供部，提供根据起源于半导体的工程偏差的所述半导体的导电层之间的任意连接状态生成的多个阻力(resistance)；判别部，在所述多个阻力中判别具有比第一临界值大，比第二临界值小的阻力值的第一组；以及判读部，通过判读在所述多个阻力中不属于所述第一组的至少一个阻力，提供数据值形态的识别钥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ICTK控股有限公司;汉阳大学校产学协力团，未经ICTK控股有限公司;汉阳大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780018446.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
