[发明专利]预图案化光刻模板、基于使用该模板的辐射图案化的工艺及形成该模板的工艺有效
申请号: | 201780016440.8 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN108780739B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | J·K·斯托尔斯;A·格伦维尔 | 申请(专利权)人: | 因普里亚公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/76;G03F7/00;H01L21/768 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄琳娟 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 高蚀刻对比度材料为使用具有模板硬质掩膜的预图案化模板结构提供了基础,该模板硬质掩膜具有周期性孔和在该孔内的填充物,其为快速获得由该模板和高蚀刻对比度抗蚀剂引导的高分辨率图案提供了基础。本发明描述用于使用该预图案化模板进行辐射光刻(例如EUV辐射光刻)的方法。此外,本发明描述用于形成该模板的方法。本发明描述用于形成该模板的材料。 | ||
搜索关键词: | 图案 光刻 模板 基于 使用 辐射 工艺 形成 | ||
【主权项】:
1.一种用于对基板上的特征进行图案化的方法,该工艺包含:使结构上的辐射敏感层暴露于选择性图案化辐射,其中所述结构包含预图案化模板结构上的辐射敏感层,所述预图案化模板结构包含穿过涂布所述基板的表面的缓冲硬质掩膜层上的模板硬质掩膜材料的周期性图案化空隙内的填充材料,其中所述辐射敏感层通过所述选择性图案化辐射暴露,以在所述辐射敏感层内形成具有潜影的暴露的辐射敏感层;使暴露的辐射敏感层显影以基于该潜影形成具有图案化层的图案化结构;和蚀刻所述图案化结构以选择性地移除由于孔穿过图案化层与填充材料重叠而易受蚀刻工艺影响的填充材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因普里亚公司,未经因普里亚公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780016440.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造