[发明专利]预图案化光刻模板、基于使用该模板的辐射图案化的工艺及形成该模板的工艺有效

专利信息
申请号: 201780016440.8 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN108780739B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: J·K·斯托尔斯;A·格伦维尔 申请(专利权)人: 因普里亚公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F1/76;G03F7/00;H01L21/768
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黄琳娟
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 高蚀刻对比度材料为使用具有模板硬质掩膜的预图案化模板结构提供了基础,该模板硬质掩膜具有周期性孔和在该孔内的填充物,其为快速获得由该模板和高蚀刻对比度抗蚀剂引导的高分辨率图案提供了基础。本发明描述用于使用该预图案化模板进行辐射光刻(例如EUV辐射光刻)的方法。此外,本发明描述用于形成该模板的方法。本发明描述用于形成该模板的材料。
搜索关键词: 图案 光刻 模板 基于 使用 辐射 工艺 形成
【主权项】:
1.一种用于对基板上的特征进行图案化的方法,该工艺包含:使结构上的辐射敏感层暴露于选择性图案化辐射,其中所述结构包含预图案化模板结构上的辐射敏感层,所述预图案化模板结构包含穿过涂布所述基板的表面的缓冲硬质掩膜层上的模板硬质掩膜材料的周期性图案化空隙内的填充材料,其中所述辐射敏感层通过所述选择性图案化辐射暴露,以在所述辐射敏感层内形成具有潜影的暴露的辐射敏感层;使暴露的辐射敏感层显影以基于该潜影形成具有图案化层的图案化结构;和蚀刻所述图案化结构以选择性地移除由于孔穿过图案化层与填充材料重叠而易受蚀刻工艺影响的填充材料。
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