[发明专利]量测方法和光刻方法、光刻单元和计算机程序在审
| 申请号： | 201780014743.6 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108700833A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | K·布哈塔查里亚 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种测量目标的方法、相关联的光刻方法和光刻单元。该方法包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后，测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的至少一个中。以这种方式，获得了目标的蚀刻后测量。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 光刻单元 测量 光刻 计算机程序 光刻工艺 衬底 量测 关联 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种测量目标的方法，包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，并且其中所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的至少一个先前层中，从而获得所述目标的蚀刻后测量。
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