[发明专利]掩模一体型表面保护带

摘要

一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，其中，掩模一体型表面保护带在基材膜上依序具有放射线固化型粘合剂层和放射线固化型掩模材料层，在下述工序(b)中，在放射线照射前，粘合剂层与掩模材料层之间剥离，在放射线放射后，掩模材料层与图案面剥离。[工序(a)～(d)]：(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；(b)从掩模一体型表面保护带将基材膜与上述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过SF6等离子体以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；(d)通过O2等离子体去除上述掩模材料层的灰化工序。

主权项

1.一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模一体型表面保护带在基材膜上依序具有放射线固化型粘合剂层和放射线固化型掩模材料层，在下述工序(b)中，在放射线照射前，该粘合剂层与该掩模材料层之间剥离，在放射线放射后，该掩模材料层与图案面剥离，[工序(a)～(d)](a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使所述掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过SF6等离子体以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和(d)通过O2等离子体去除所述掩模材料层的灰化工序。