[发明专利]提供存储元件的方法在审
| 申请号： | 201780013466.7 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108701763A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种在衬底上形成包括金属、金属化合物或金属氧化物的薄膜(302)的方法，所述方法包括通过采用反应物前体和/或相对量的反应物前体的沉积工艺形成金属或金属氧化物的一个或多个薄膜层(303，304，305)，所述反应物前体和/或相对量的反应物前体被选择以沉积具有从至少一种反应物前体得到的受控量的掺杂剂的薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 反应物前体 金属氧化物 薄膜层 沉积 工艺形成金属 金属化合物 存储元件 掺杂剂 受控量 衬底 薄膜 金属 | ||
【主权项】：
1.一种形成包括金属、金属化合物或金属氧化物的薄膜的方法，所述方法包括通过采用反应物前体和/或相对量的反应物前体的薄膜沉积工艺来形成金属或金属氧化物的一个或多个薄膜层，所述反应物前体和/或相对量的反应物前体被选择以沉积具有从至少一种反应物前体得到的受控量的掺杂剂的薄膜层。
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