[发明专利]无记忆共模不敏感的和低牵引的压控振荡器有效
| 申请号： | 201780011324.7 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN109155609B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | F·阿拉姆 | 申请（专利权）人： | AVX安泰纳股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H03B7/06;H03B11/10;H03B19/14;H03L7/099 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种压控振荡器(VCO)。所述VCO包括有源器件。所述VCO包括有源器件，其中有源器件还包括：具有漏极、栅极和块体的n型晶体管；具有漏极、栅极和块体的p型晶体管。n型晶体管和p型晶体管共享一个共源极。有源器件还包括：耦合在n型晶体管的栅极和p型晶体管的栅极之间的第一电容器；耦合在n型晶体管的漏极和p型晶体管的漏极之间的第二电容器；以及耦合在n型晶体管的块体和p型晶体管的块体之间的第三电容器。VCO包括耦合至共源极以形成共栅极放大器的调谐块和耦合至有源器件以改变VCO的总电容的至少一个调谐元件。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 共模不 敏感 牵引 压控振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种压控振荡器(VCO)，包括：有源器件，其中所述有源器件还包括：具有漏极、栅极和块体的n型晶体管；具有漏极、栅极和块体的p型晶体管，其中所述n型晶体管和所述p型晶体管共享一共源极；耦合在n型晶体管的栅极和p型晶体管的栅极之间的第一电容器；耦合在n型晶体管的漏极和p型晶体管的漏极之间的第二电容器；和耦合在n型晶体管的块体和p型晶体管的块体之间的第三电容器；耦合至所述共源极以形成共栅极放大器的调谐块；以及耦合至有源器件用于改变所述VCO的总电容的至少一个调谐元件；其中所述VCO具有高击穿电压、是无记忆的并且捕获偶次谐波信号。
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