[发明专利]无记忆共模不敏感的和低牵引的压控振荡器有效
| 申请号: | 201780011324.7 | 申请日: | 2017-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN109155609B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
| 发明(设计)人: | F·阿拉姆 | 申请(专利权)人: | AVX安泰纳股份有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12;H03B7/06;H03B11/10;H03B19/14;H03L7/099 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑勇 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记忆 共模不 敏感 牵引 压控振荡器 | ||
1.一种差分压控振荡器,包括:
第一有源器件和第二有源器件;其中第一有源器件和第二有源器件中的每一个还包括:具有漏极、栅极和块体的n型晶体管;具有漏极、栅极和块体的p型晶体管,其中所述n型晶体管和所述p型晶体管共享一共源极;耦合在n型晶体管的栅极和p型晶体管的栅极之间的第一电容器;耦合在n型晶体管的漏极和p型晶体管的漏极之间的第二电容器;和耦合在n型晶体管的块体和p型晶体管的块体之间的第三电容器;
耦合在所述第一有源器件的n型晶体管的块体和所述第二有源器件的共源极之间的第四电容器;
耦合在所述第一有源器件的p型晶体管的块体和所述第二有源器件的共源极之间的第五电容器;
耦合在所述第二有源器件的n型晶体管的块体和所述第一有源器件的共源极之间的第六电容器;
耦合在所述第二有源器件的p型晶体管的块体和所述第一有源器件的共源极之间的第七电容器;
耦合至所述共源极以形成共栅极放大器的调谐块;
耦合在所述第一有源器件的n型晶体管的漏极和所述第二有源器件的n型晶体管的漏极之间的至少一个第一调谐器件;
耦合在所述第一有源器件的n型晶体管、p型晶体管的源极和所述第二有源器件的n型晶体管、p型晶体管的源极之间的至少一个第二调谐器件;
耦合在所述第一有源器件的p型晶体管的漏极和所述第二有源器件的p型晶体管的漏极之间的至少一个第三调谐器件;其中所述差分压控振荡器具有高击穿电压、是无记忆的并捕获偶次谐波信号。
2.根据权利要求1所述的差分压控振荡器,其中所述第一电容器、第二电容器和第三电容器中的每一个都包括以下任一个:可变电容器、与电阻器串联耦合的电容器、与电阻器并联耦合的电容器、与电感器串联耦合的电容器、与电感器并联耦合的电容器。
3.根据权利要求1所述的差分压控振荡器,其中所述第一调谐元件、第二调谐元件和第三调谐元件中的每一个都包括以下任一个:电感器、电容器、电阻器以及变压器,其中,所述第一调谐元件、第二调谐元件和第三调谐元件中的每一个均包括两个输入和一个输出。
4.根据权利要求1所述的差分压控振荡器,其中所述第一调谐元件和第二调谐元件用于粗调谐所述压控振荡器,且所述第二调谐元件用于精调谐所述压控振荡器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AVX安泰纳股份有限公司,未经AVX安泰纳股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780011324.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





