[发明专利]光电耦合器

摘要

一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，所述发送单元与所述接收单元彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中。所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)。所述接收单元(EM)的能量源(VQ)具有两个部分源(VQ1、VQ2)，其中，该第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，该第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，其中，该第一半导体二极管(D1)具有匹配于第一光波长(L1)的吸收边，该第二半导体二极管(D2)具有匹配于第二光波长(L2)的吸收边，使得该第一部分源(VQ1)在借助第一光波长(L1)照射时产生能量，该第二部分源(VQ2)在借助第二光波长(L2)照射时产生能量。两个部分源(VQ1，VQ2)构成共同的堆叠，并且相继布置的半导体二极管(D1、D2)通过隧道二极管串联连接。

主权项

1.一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，其中，所述发送单元(S)与所述接收单元(EM)彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中，其中，所述接收单元(EM)具有第一电连接接通部(SUP1)和第二电连接接通部(SUP2)，并且：所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)；其中，所述第一光波长(L1)与所述第二光波长(L2)相差波长差(D)；其中，第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，每个部分源(VQ1，VQ2)具有多个半导体层，并且每个部分源(VQ1，VQ2)的半导体层堆叠状地布置，并且每个部分源(VQ1，VQ2)具有上侧和下侧；其中，所述第一半导体二极管(D1)具有匹配于所述第一光波长(L1)的吸收边，所述第二半导体二极管(D2)具有匹配于所述第二光波长(L2)的吸收边，使得所述第一部分源(VQ1)在借助所述第一光波长(L1)照射时产生能量，并且所述第二部分源(VQ2)在借助所述第二光波长(L2)照射时产生能量，其特征在于，所述接收单元(EM)包括能量源(VQ)，所述能量源(VQ)具有构造成电流源或电压源的两个部分源(VQ1，VQ2)，所述第一部分源(VQ1)的下侧布置在所述第二部分源(VQ2)的上侧上，使得所述两个部分源(VQ1，VQ2)构成具有前侧和后侧的共同堆叠，并且在两个相继布置的半导体二极管(D1，D2)之间构造有隧道二极管，其中，所述两个部分源(VQ1，VQ2)串联连接；与所述连接接通部(VSUP1)连接的金属接通部(K1)构造在所述第一部分源的上侧上，第二金属接通部(K2)构造在所述第二部分源的下侧上；其中，所述第二金属接通部(K2)整面地构造在衬底(SUB)的下侧上，并且所述衬底(SUB)具有上侧(OS)，并且所述衬底(SUB)的上侧(OS)与所述第二部分源(VQ2)的下侧材料锁合地单片地连接，并且所述衬底(SUB)的上侧(OS)具有比所述能量源(VQ)下侧上的面更大的表面，从而形成环绕的阶梯(STU)。