[发明专利]在提拉单晶期间确定和调节单晶直径的方法有效

专利信息
申请号: 201780009753.0 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN108699723B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: T·施勒克;T·奥布朗纳 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B15/30;C30B29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李振东;过晓东
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及在由用于提拉单晶(200)的设备(100)的坩埚(130)中的熔体(230)提拉单晶(200)尤其是单晶(200)的末端圆锥(210)期间确定单晶(200)的直径(dK)的方法,其中在考虑熔体(230)的表面(235)相对于坩埚(130)的第一下降速率(vS)、单晶(200)相对于坩埚(130)升高的第一提升速率(vK)以及质量守恒的情况下确定单晶(200)在与熔体(230)的界面处的直径(dK)。
搜索关键词: 提拉单晶 期间 确定 调节 直径 方法
【主权项】:
1.在由用于提拉单晶(200)的设备(100)的坩埚(130)中的熔体(230)提拉单晶(200)尤其是单晶(200)的末端圆锥(210)期间确定单晶(200)的直径(dK)的方法,其中在考虑熔体(230)的表面(235)相对于坩埚(130)的第一下降速率(vS)、单晶(200)相对于坩埚(130)升高的第一提升速率(vK)及质量守恒的情况下确定单晶(200)在与熔体(230)的界面处的直径(dK)。
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