[发明专利]在提拉单晶期间确定和调节单晶直径的方法有效
申请号: | 201780009753.0 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN108699723B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | T·施勒克;T·奥布朗纳 | 申请(专利权)人: | 硅电子股份公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B15/30;C30B29/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李振东;过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及在由用于提拉单晶(200)的设备(100)的坩埚(130)中的熔体(230)提拉单晶(200)尤其是单晶(200)的末端圆锥(210)期间确定单晶(200)的直径(d |
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搜索关键词: | 提拉单晶 期间 确定 调节 直径 方法 | ||
【主权项】:
1.在由用于提拉单晶(200)的设备(100)的坩埚(130)中的熔体(230)提拉单晶(200)尤其是单晶(200)的末端圆锥(210)期间确定单晶(200)的直径(dK)的方法,其中在考虑熔体(230)的表面(235)相对于坩埚(130)的第一下降速率(vS)、单晶(200)相对于坩埚(130)升高的第一提升速率(vK)及质量守恒的情况下确定单晶(200)在与熔体(230)的界面处的直径(dK)。
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