[发明专利]光纤与半导体激光器的光耦合结构有效
| 申请号： | 201780007379.0 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108474918B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 三浦雅和;三代川纯;山岡一树;森肇 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/26;H01S5/02251;H01S5/02326 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在从子基座(5)的端部至预定的范围内形成非镀敷部(21)。非镀敷部(21)是未设置镀层(17)且子基座的母材露出的部位。中间层(13)形成于镀层(17)上。另外，在中间层(13)上形成镀层(19)。半导体激光器(11)形成于镀层(19)上。半导体激光器(11)的端部位置与镀层(19)(中间层13)的端部位置大致一致。即，即使在中间层(13)的端面与半导体激光器(11)的端面存在偏移的情况下，该偏移量也足够小于从子基座(5)的端面起的中间层(13)的缩回量。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 半导体激光器 耦合 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光纤与半导体激光器的光耦合结构，其特征在于，具备：子基座；非镀敷部，其形成于从所述子基座的端部至预定的范围内；镀层，其形成于所述非镀敷部以外的部位；中间层，其形成于所述镀层的上部，并且以从所述子基座的端部缩回预定量的方式配置；半导体激光器，其配置于所述中间层上；以及透镜光纤，其与所述半导体激光器光耦合，所述半导体激光器与所述透镜光纤的距离小于从所述子基座的端面起的所述中间层的缩回量。
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