[实用新型]一种深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201721870609.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207993888U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓东;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100176 北京市经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种深紫外发光二极管，包括：衬底，所述基底衬底是深紫外发光二极管的基础，在所述基底衬底上生长各种功能层；AlN单晶溅射层，通过溅射的方式形成在所述衬底上，所述AlN单晶溅射层表面具有在退火温度1400‑1600℃、退火环境为氮气气氛、退火30‑120min退火后形成的团簇；纳米图案，所述纳米图案形成在所述AlN单晶溅射层的上表面上，纳米图案的深度为300‑600nm；宽度为100‑300nm；间距为800‑1000nm；UV‑LED结构层，所述UV‑LED结构层根据通电产生深紫外光。利用特定结构的AlN单晶层表面形成团簇和图案使得在衬底表面附着UV‑LED结构变得更加容易，解决了UV‑LED难于生产，难于工业化大量制作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外发光二极管 退火 溅射层 纳米图案 基底衬 衬底 团簇 纳米图案形成 本实用新型 表面形成 衬底表面 深紫外光 退火环境 功能层 上表面 溅射 附着 通电 图案 生长 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括：基底衬底，所述基底衬底是深紫外发光二极管的基础，在所述基底衬底上生长各种功能层；AlN单晶溅射层，通过溅射的方式形成在所述衬底上，所述AlN单晶溅射层表面具有在退火温度1400‑1600℃、退火环境为氮气气氛、退火30‑120min退火后形成的团簇；纳米图案，所述纳米图案形成在所述AlN单晶溅射层的上表面上，纳米图案的深度为300‑600nm；宽度为100‑300nm；间距为800‑1000nm；UV‑LED结构层，所述UV‑LED结构层根据通电产生深紫外光，所述UV‑LED层包括负极、有源材料单元以及正极；所述负极成型于所述AlN单晶溅射层上，所述有源材料位于所述负极和所述正极之间。
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