[实用新型]一种量子点贝塔伏特电池有效
| 申请号： | 201721850509.0 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207611620U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈继革;伞海生 | 申请（专利权）人： | 深圳贝塔能量技术有限公司;厦门大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G21H1/04 | 分类号： | G21H1/04;G21H1/06 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 杨兵 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本实用新型向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米管 量子点层 量子点 本实用新型 辐射源 同位素 电池 能量转换效率 底部电极 顶部电极 短路电流 管状空间 开路电压 阵列薄膜 管内壁 填充 引入 | ||
【主权项】：
1.一种量子点贝塔伏特电池，其特征在于，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳贝塔能量技术有限公司;厦门大学深圳研究院，未经深圳贝塔能量技术有限公司;厦门大学深圳研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721850509.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：400L金属桶内超压饼块定位支架
- 下一篇：一种LVDS电缆
