[实用新型]日盲紫外单光子源有效
| 申请号： | 201721793763.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207691196U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种日盲紫外单光子源，包括由宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本实用新型对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 本实用新型 紫外单光子 单量子点 衬底 禁带 可用 嵌埋 日盲 半导体材料 宽禁带半导体 单光子发射 量子阱结构 保密通信 单光子源 发射波长 精密测量 量子成像 量子计算 量子认证 量子限制 量子信息 日盲波段 发射 本征层 电泵浦 光泵浦 光子源 近距离 宽禁带 纳米线 薄膜 量子 平行 垂直 激发 应用 | ||
【主权项】：
1.日盲紫外单光子源，其特征在于：包括衬底及衬底上的量子点嵌埋pin纳米线，所述量子点嵌埋pin纳米线包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成，所述宽禁带半导体p型层、n型层分别位于i型本征层的两侧，单量子点嵌埋于i型本征层内；在量子点嵌埋pin纳米线的两端分别是p型电极和n型电极。
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