[实用新型]一种绝缘栅双极性晶体管有效

专利信息
申请号: 201721609597.5 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN207542248U 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 杨俊;罗伟民;邹伟 申请(专利权)人: 深圳市鑫宇鹏电子科技有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种绝缘栅双极性晶体管,包括外置包覆膜层、层间绝缘膜、V型槽栅、强固棱条、PNP晶体管和集电空穴,所述外置包覆膜层内侧设置有层间绝缘膜,所述V型槽栅外侧设置有强固棱条,所述PNP晶体管下方开设有集电空穴。本实用新型结构科学合理,使用安全方便,设置有外置包覆膜层可以起到对晶体管的保护作用;设置有层间绝缘层提高了晶体管内部的绝缘性;设置有V型槽栅使其内部构件之间的连接更加固定;设置有强固棱条提高了晶体管的抗形变能力;设置有PNP晶体管可以提高对电导率的调制效率,并提高晶体管内部电流密度;设置有集电空穴便于对晶体管内部基层间进行电导调制,减小层间电阻,使高电压时,也具有较低的通态电压。
搜索关键词: 晶体管 空穴 包覆膜 棱条 外置 绝缘栅双极性晶体管 本实用新型 层间绝缘膜 电导率 层间绝缘层 抗形变能力 层间电阻 电导调制 调制效率 结构科学 内部构件 通态电压 外侧设置 高电压 绝缘性 减小 基层
【主权项】:
1.一种绝缘栅双极性晶体管,包括基板(1)、外置包覆膜层(2)、层间绝缘膜(3)、绝缘层(4)、V型槽栅(5)、强固棱条(6)、栅极电极(7)、栅极引绕布线(8)、漂移层(9)、发射极电极(10)、发射极(11)、基极(12)、PNP晶体管(13)、集电极端子(14)、保护环(15)、集电极层(16)、集电空穴(17)、集电极电极(18)、电极调制区(19)和材料层(20),其特征在于:所述基板(1)外侧表面设置有外置包覆膜层(2),所述外置包覆膜层(2)内侧设置有绝缘层(4),所述绝缘层(4)的顶角处均开设有V型槽栅(5),所述V型槽栅(5)外侧设置有强固棱条(6),所述绝缘层(4)内侧设置有栅极电极(7),所述栅极电极(7)外侧设置有栅极引绕布线(8),所述栅极电极(7)内侧下方设置有漂移层(9),所述漂移层(9)下方设置有发射极电极(10),所述发射极电极(10)右侧设置有发射极(11),所述发射极电极(10)内侧下方设置有基极(12),所述基极(12)内侧中部设置有PNP晶体管(13),所述PNP晶体管(13)外侧设置有集电极端子(14),所述集电极端子(14)两侧均设置有保护环(15),所述基极(12)下方设置有集电极层(16),所述集电极层(16)右侧开设有集电空穴(17),所述集电空穴(17)下方设置有电极调制区(19),所述电极调制区(19)左侧设置有集电极电极(18)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市鑫宇鹏电子科技有限公司,未经深圳市鑫宇鹏电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721609597.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top