[实用新型]一种基于硅PIN的中子探测器有效

专利信息
申请号: 201721604678.6 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN207611153U 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 张庆威;王婷婷;林德雨;陈洁;赵哲 申请(专利权)人: 中核控制系统工程有限公司
主分类号: G01T3/08 分类号: G01T3/08
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 张雅丁
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及辐射测量技术领域,具体公开了一种基于硅PIN的中子探测器,通过在陶瓷封装的硅光电二极管上衬硼层,以达到探测中子的目的。本实用新型装置体积尺寸灵活,安全性较高,可应用于中子个人剂量报警仪等小型化的仪表。
搜索关键词: 本实用新型 中子探测器 辐射测量技术 硅光电二极管 陶瓷封装 报警仪 硼层 上衬 仪表 探测 灵活 应用
【主权项】:
1.一种基于硅PIN的中子探测器,其特征在于:包括铝片(1)、硼层(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4);在所述铝片(1)的表面镀硼层(2),将铝片(1)镀有硼层(2)的一侧与硅PIN(3)耦合;在所述陶瓷底托(4)的上表面开槽,硅PIN(3)设于槽中,组成陶瓷封装的硅光电二极管。
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