[实用新型]一种基于硅PIN的中子探测器有效
| 申请号： | 201721604678.6 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN207611153U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张庆威;王婷婷;林德雨;陈洁;赵哲 | 申请（专利权）人： | 中核控制系统工程有限公司 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 张雅丁 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 中子探测器 辐射测量技术 硅光电二极管 陶瓷封装 报警仪 硼层 上衬 仪表 探测 灵活 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：包括铝片(1)、硼层(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；
在所述铝片(1)的表面镀硼层(2)，将铝片(1)镀有硼层(2)的一侧与硅PIN(3)耦合；
在所述陶瓷底托(4)的上表面开槽，硅PIN(3)设于槽中，组成陶瓷封装的硅光电二极管。
2.如权利要求1所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：铝片(1)的厚度选择范围为1～3mm。
3.如权利要求2所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：硼层(2)的厚度选择范围为0.85～1mg/cm2。
4.如权利要求3所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：所述的硅PIN(3)的厚度为D，D≥20μm。
5.如权利要求4所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：所述硼层(2)与硅PIN(3)的距离为H，H≤1mm。
6.如权利要求5所述的一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：所述陶瓷封装的硅光电二极管采用市售的滨松集团硅光电二极管产品。
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