[实用新型]浅沟槽隔离结构

摘要

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本实用新型将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。本实用新型可以减小PMOS晶体管之间的漏电流，并减小PMOS晶体管老化后维持电流的异常增加。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽形成于所述硅衬底中，用以隔离PMOS晶体管，所述第二沟槽形成于所述硅衬底中，用以隔离NMOS晶体管，且所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；热氧化层，形成于所述第一沟槽的侧壁及底部及所述第二沟槽的侧壁及底部；内衬层，形成于所述第一沟槽的热氧化层的表面，且所述第一沟槽底部的所述内衬层被去除，以显露所述第一沟槽底部的热氧化层；填充层，填充于所述第二沟槽内且与所述内衬层的材料相同；以及介质层，填充于所述第一沟槽中。