[实用新型]电子器件、SRAM单元和SRAM阵列有效
| 申请号： | 201721531527.2 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN207602229U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | H·拉瓦特;A·帕沙克 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本文中公开了一种电子器件、SRAM单元和SRAM阵列。该电子器件包括位线和互补位线、交叉耦合的第一反相器和第二反相器、耦合在互补位线与第一反相器之间的第一传输门、以及耦合在位线与第二反相器之间的第二传输门。电子器件还包括交叉耦合的第三反相器和第四反相器、耦合在互补位线与第三反相器之间的第三传输门、以及耦合在位线与第四反相器之间的第四传输门。第一、第二和第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且第三反相器在浮置节点与参考节点之间被供电。第一传输门和第三传输门并联耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器 传输门 电子器件 耦合 互补位线 参考节点 交叉耦合 在位线 供电 并联耦合 电源节点 浮置 位线 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其特征在于，包括：位线和互补位线；交叉耦合的第一反相器和第二反相器；第一传输门，耦合在所述互补位线与所述第一反相器之间；第二传输门，耦合在所述位线与所述第二反相器之间；交叉耦合的第三反相器和第四反相器；第三传输门，耦合在所述互补位线与所述第三反相器之间；以及第四传输门，耦合在所述位线与所述第四反相器之间；其中所述第一反相器、所述第二反相器和所述第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且所述第三反相器在浮置节点与所述参考节点之间被供电；其中所述第一传输门和所述第三传输门并联耦合。
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