[实用新型]一种高集成度高压延迟缓启动装置有效

专利信息
申请号: 201721502102.9 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN207542992U 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 王博;赵卫;白永林;朱炳利;陈震;曹伟伟;缑永胜;白晓红;秦君军 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M1/34
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型提供一种高集成度高压延迟缓启动装置,能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动,避免高压过冲对光电探测器的损坏。该装置包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管;通过在“高压幅值控制端”和“高压电源”之间加入缓启动电路,其中利用RC充放电、MOS管可变阻值以及光控MOS管的结合,当MOS管Q1栅端为有效高电平,MOS管Q3跟随MOS管Q2状态缓变化,使得光控MOS管中MOS管导通,这时高压幅值控制端被强拉于“地”,随后发光二极管发光逐渐减弱,MOS由导通变为截止,高压幅值控制端缓慢变为有效输入端,则后端高压电源缓慢启动。
搜索关键词: 幅值控制 高压电源 光控 压延 高集成度 启动装置 导通 本实用新型 发光二极管 光电探测器 缓启动电路 有效高电平 延迟启动 有效输入 直流电源 充放电 可变 栅端 发光 截止
【主权项】:
1.一种高集成度高压延迟缓启动装置,其特征在于:包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管;所述RC充放电电路包括电容C1和电阻R3,直流电源VCC对电容C1充电,电容C1和电阻R3分别经不同的支路接至直流电源VCC,同时电阻R3一端与电容C1的正端连接,电阻R3另一端分别接至MOS管Q1的漏端和MOS管Q2的栅端,电容C1的负端接地;MOS管Q1的栅端作为该高集成度高压延迟缓启动装置的控制输入端;MOS管Q1的源端接地,使得当控制输入端为有效高电平,MOS管Q1处于导通状态,在所述RC充放电电路的放电作用下,MOS管Q2的栅端电压从初始最大值缓慢降低;MOS管Q2的漏端经电阻R12接至直流电源VCC,MOS管Q2的源端接地,MOS管Q2因RC充放电电路的作用形成一个可变电阻,该可变电阻与R12组成分压电路,对直流电源VCC分压后加载在MOS管Q3的栅端;MOS管Q3的漏端接至直流电源VCC,MOS管Q3的源端经光控MOS管中的光电二极管串联接地;MOS管Q3跟随MOS管Q2状态变化,进而决定光电二极管的导通状态;光控MOS管中的MOS管作为该高集成度高压延迟缓启动装置控制输出端,高压幅值控制端与高压电源输入端之间引出结点直接经光控MOS管中的MOS管串联接地。
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