[实用新型]一种推挽式快速响应LDO电路

摘要

本实用新型公开了一种推挽式快速响应LDO电路，包括：第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、反馈电路、负载电路、误差放大器EA、功率管MP；本实用新型创造的电路结构相对于现有的LDO电路，在低功耗、大负载电流、高电源抑制比、瞬态响应等各个参数指标中均具有良好的表现，特别在瞬态响应方面表现突出，满足未来LDO电路的发展需要。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

主权项

1.一种推挽式快速响应LDO电路，其特征在于，包括：第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、反馈电路、负载电路、误差放大器EA、功率管MP；所述第一控制电路由：PMOS管M1、M3、NMOS管M2，电容C1、电阻R1组成，所述M1的漏极分别与所述M2的漏极、所述M3的栅极、电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述M1的栅极与所述误差放大器EA的输出端连接，所述M1的源极、所述M3的源极分别与电源VDD连接，所述M2的源极与地GND连接，所述M3的漏极分别与所述电阻R1的另一端、所述功率管MP的栅极连接，所述M1、M3的衬底分别与所述电源VDD连接，所述M2的衬底与所述地GND连接；所述第二控制电路由：PMOS管M4、NMOS管M5、M6组成，所述M4的漏极分别与所述M5的漏极、栅极连接，所述M4的栅极与所述误差放大器EA的输出端连接，所述M4的源极与所述电源VDD连接，所述M5的栅极与所述M6的栅极连接，所述M6的漏极与所述MP的栅极连接，所述M5、M6的源极分别与地GND连接，所述M4的衬底与电源VDD连接，所述M5、M6的衬底分别与地GND连接；所述第三控制电路由：PMOS管M7、NMOS管M8、M9、运算放大器AMP组成，所述AMP的反相输入端分别与所述M4的栅极、所述误差放大器EA的输出端连接，所述AMP的输出端与所述M7的栅极连接，所述M7的源极与电源VDD连接，所述M7的漏极与所述M9的栅极、M8的漏极连接，所述M9的漏极与所述MP的漏极连接，所述M8、M9的源极与地GND连接，所述M7的衬底与所述电源VDD连接，所述M8、M9的衬底与地GND连接；所述反馈电路由：NMOS管M10、M11组成，所述M10的漏极、栅极、所述M11的栅极连接所述推挽式快速响应LDO电路的输出电压端，所述输出电压端与所述MP的漏极连接，所述M10的源极分别与所述M11的漏极、所述误差放大器EA的同相输入端连接，所述M11的源极连接地GND，所述M10、M11的衬底与地GND连接；所述负载电路由：负载电阻RL、负载电容CL组成，所述负载电阻RL与所述负载电容CL并接，所述负载电阻RL、负载电容CL的一端连接所述输出电压端连接，另一端对地GND连接；所述误差放大器EA的反相输入端连接参考电压Vref。