[实用新型]一种无双极晶体管的电压基准源电路

摘要

本实用新型公开了一种无双极晶体管的电压基准源电路，包括：电压产生电路、电流产生电路、PSRR电路，所述电流产生电路用于为电压产生电路提供电流，所述PSRR电路用于为所述电压产生电路和所述电流产生电路提供供电电压。本实用新型创造的电路的输出基准电压低于1V，在室温下的功耗大约为71uW，而且相对于传统基准源电路具有更低的温度系数，可以提供更加稳定的基准电压，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

主权项

1.一种无双极晶体管的电压基准源电路，其特征在于，包括：电压产生电路、电流产生电路、PSRR电路，所述电流产生电路用于为电压产生电路提供电流，所述PSRR电路用于为所述电压产生电路和所述电流产生电路提供供电电压；所述电压产生电路由：PMOS管PM3、PM4、NMOS管NM1、NM2、NM3组成，所述PM3的漏极、栅极并接，所述NM3的漏极、栅极并接，所述NM2的漏极、栅极并接，所述PM3的漏极与所述NM3的漏极连接，所述PM3的栅极与所述PM4的栅极连接，所述PM3的源极与所述PM4的源极连接，所述NM2的漏极与所述PM4的漏极连接，所述NM2的栅极与所述NM1的栅极连接，所述NM2的源极与所述NM1的漏极连接，所述NM3的源极分别与所述NM1的漏极、所述NM2的源极连接，所述PM3、PM4的衬底与电源VDD连接，所述NM1、NM2、NM3的衬底与地GND连接；所述电流产生电路由：PMOS管PM1、PM2、NMOS管NM4、NM5、电阻R1和运算放大器AMP，所述PM1的栅极与所述PM2的栅极连接，所述PM1的漏极分别与所述运算放大器AMP的反相输入端、电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述NM4的漏极连接，所述PM2的源极与所述PM1的源极连接，所述PM2的漏极分别与所述运算放大器AMP的同相输入端、所述NM5的漏极连接，所述NM4的源极、栅极、NM5的源极、栅极分别与地GND连接，所述PM1、PM2的衬底分别与电源VDD连接，所述NM4、NM5 的衬底分别与各自的漏极连接；所述PSRR电路由：PMOS管PM5、PM6、PM7、PM8和偏置电流源Ib组成，所述PM5的栅极与所述PM6的栅极连接，所述PM5的漏极分别与所述PM1、PM2、PM3、PM4、PM8的源极连接，所述PM7的源极与所述PM6的漏极连接，所述PM7的漏极分别与所述PM5、PM6的栅极、所述电流源Ib的输入端连接，所述PM7的栅极分别与所述PM1、PM2、PM3、PM4的栅极连接，所述电流源Ib的输出端、所述PM8的漏极分别与地GND连接，所述PM5、PM6的源极、PM5、PM6、PM7、PM8的衬底分别与所述电源VDD连接。