[实用新型]一种掩模板边角残留铬的清除装置有效
申请号: | 201721329399.3 | 申请日: | 2017-10-14 |
公开(公告)号: | CN207281464U | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 叶小龙;侯广杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 深圳市徽正知识产权代理有限公司44405 | 代理人: | 李想 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种掩模板边角残留铬的清除装置,包括支架、宽度调整组件、密封活塞和渗透棉;支架设置有与掩模板侧面相接触的侧定位面,支架中设置有盛装药液的容腔,渗透棉位于容腔底部,用于被药液浸泡,宽度调整组件设置在支架上,密封活塞连接在宽度调整组件上,用于调整渗透棉的宽度;由于在支架上采用了与掩模板侧面相接触的侧定位面,结合浸泡有药液的渗透棉以及可调整其宽度的密封活塞,不仅实现了对待清除的残留铬层宽度的精确调整,而且只需将该清除装置沿掩模板侧面进行前后匀速移动,即可快速精确地清除掩模板边角残留铬层,大大提升了工作时效;同时,即使光刻胶上的有效图形与无效边沿距离过近,也不会对有效图形造成任何影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 边角 残留 清除 装置 | ||
【主权项】:
一种掩模板边角残留铬的清除装置,其特征在于,包括:支架、宽度调整组件、密封活塞和渗透棉;其中,所述支架设置有侧定位面,用于与掩模板的侧面相接触,所述支架中设置有用于盛装药液的容腔,所述渗透棉设置在容腔的底部,用于被盛装在该容腔中的药液浸泡,所述宽度调整组件设置在支架上,所述密封活塞连接在该宽度调整组件上,用于调整所述渗透棉的宽度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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