[实用新型]MOS管内阻监测电路有效

专利信息
申请号: 201721169383.0 申请日: 2017-09-12
公开(公告)号: CN207366637U 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 张雄 申请(专利权)人: 深圳市沃特玛电池有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种MOS管内阻监测电路,包括待测MOS管、电压采样电阻、第一运放单元、第二运放单元、电压比较单元及发光单元;所述电压采样电阻将其两端的电压信号发送至所述第一运放单元,所述待测MOS管将漏极和源极的电压信号发送至所述第二运放单元;所述第一运放单元将接收到的电压采样电阻导通时的压降进行差分放大后输出至所述电压比较单元的第一输入端,所述第二运放单元将接收到的待测MOS管的导通时的压降进行差分放大后发送至所述电压比较单元的第二输入端;所述电压比较单元用于将所述第一运放单元与所述第二运放单元的输出电压进行比较,所述发光单元显示比较结果,进而确定所述MOS管是否符合要求。上述MOS管内阻监测电路安全可靠,实用性强。
搜索关键词: mos 内阻 监测 电路
【主权项】:
1.一种MOS管内阻监测电路,其特征在于:所述MOS管内阻监测电路包括待测MOS管、电压采样电阻、第一运放单元、第二运放单元、电压比较单元及发光单元;所述待测MOS管的栅极与第一信号输入端相连,所述待测MOS管的漏极与所述电压采样电阻的一端、所述第一运放单元的第一输入端、所述第二运放单元的第一输入端相连,所述待测MOS管的源极与所述第二运放单元的第二输入端相连并通过保护电阻接地;所述电压采样电阻的另一端与所述第一运放单元的第二输入端及第二信号输入端相连;所述第一运放单元的输出端与所述电压比较单元的第一输入端相连,所述第二运放单元的输出端与所述电压比较单元的第二输入端相连,所述电压比较单元的输出端与所述发光单元相连;所述电压采样电阻将其两端的电压信号发送至所述第一运放单元,以实现所述第一运放单元对所述电压采样电阻导通时的压降的采集;所述待测MOS管分别将漏极和源极的电压信号发送至所述第二运放单元,以实现所述第二运放单元对所述待测MOS管的导通时的压降的采集;所述第一运放单元将接收到的电压采样电阻导通时的压降进行差分放大后输出至所述电压比较单元的第一输入端,所述第二运放单元将接收到的待测MOS管的导通时的压降进行差分放大后发送至所述电压比较单元的第二输入端;所述电压比较单元用于将所述第一运放单元的输出电压与所述第二运放单元的输出电压进行比较,并通过所述发光单元显示比较结果,进而确定所述待测MOS管是否符合要求。
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