[实用新型]放电装置与高功率半导体激光器有效
| 申请号： | 201721059327.1 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN207265413U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 钟绪浪;朱宝华;陆业钊;罗又辉;王瑾;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种放电装置和高功率半导体激光器。高功率半导体激光包括放电装置，其中放电装置包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。所述放电装置以及高功率半导体激光器能够确保激光器的负载端的残留电量可以快速放完，从而可降低激光器故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 放电 装置 功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种放电装置，其特征在于，包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大族激光科技产业集团股份有限公司，未经大族激光科技产业集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721059327.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
