[实用新型]一种新型光伏温差发电一体化芯片

摘要

本实用新型提供了一种新型光伏温差发电一体化芯片，包括开有通孔的绝缘绝热基板/薄膜；设于所述通孔内缘及基板/薄膜表面上与通孔内缘的部分相连的基层热电光伏材料；逐层叠加于所述基层热电光伏材料位于基板/薄膜表面部分上的N层热电光伏材料；其中，相邻的两层热电光伏材料为具有数值相近符号相反塞贝克系数的P型或N型半导体，并于交界处形成PN结，位于不同通孔处且基层热电光伏材料分别为P型或N型半导体的两组材料构成一对热电偶对；透明电极，连接至少一对热电偶对的顶层热电光伏材料；输出电极，连接由所述透明电极连接的热电偶对的基层热电光伏材料，构成导电回路。

主权项

一种新型光伏温差发电一体化芯片，其特征在于，包括：开有通孔的绝缘绝热基板/薄膜；设于所述通孔内缘以及基板/薄膜表面上与通孔内缘的部分相连的基层热电光伏材料；逐层叠加于所述基层热电光伏材料上的N层热电光伏材料，其中，N≥1，且所述N层热电光伏材料仅叠加于基层热电光伏材料位于基板/薄膜表面的部分上，相邻的两层热电光伏材料为具有数值相近符号相反塞贝克系数的P型或N型半导体热电光伏材料，并于交界处形成PN结，位于不同通孔处且PN结导电方向相反的任意两组材料构成一对热电偶对；透明电极，所述透明电极与至少一对热电偶对的最顶层热电光伏材料通过接触点连接；输出电极，所述输出电极连接由所述透明电极连接的热电偶对的基层热电光伏材料，构成导电回路。