[实用新型]发射设备和电子装置有效
| 申请号： | 201720502928.9 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN207652424U | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | M·艾劳德;S·拉梅特;S·庞塔罗洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（格勒诺布尔2）公司 |
| 主分类号： | H04B1/04 | 分类号： | H04B1/04;H04B1/40;H03H11/24;H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及发射设备和电子装置，例如，发射设备包括发射级(TX)，该发射级旨在于天线(ANT)的输入输出节点(I/O)上传递发射信号并且包括功率晶体管(M1)，该功率晶体管连接至所述输入输出节点(I/O)并且被配置成用于放大待发射信号。该设备包括接收级(RX)，该接收级旨在于该输入输出节点(I/O)上对接收信号进行接收并且包括用于衰减该接收信号的装置(ATN)。该衰减装置(ATN)包括该功率晶体管(M1)以及能够将该功率晶体管(M1)置于三极管模式的控制装置(MCOM)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率晶体管 输入输出节点 发射设备 电子装置 发射级 接收级 待发射信号 对接收信号 发射信号 控制装置 衰减装置 三极管 衰减 天线 放大 传递 配置 | ||
【主权项】：
1.一种发射设备，其特征在于，包括：发射级(TX)，所述发射级旨在于天线(ANT)的输入输出节点(I/O)上传递发射信号并且包括功率晶体管(M1)，所述功率晶体管连接至所述输入输出节点(I/O)并且被配置成用于放大待发射信号；接收级(RX)，所述接收级旨在于所述输入输出节点(I/O)上对接收信号进行接收并且包括用于衰减所述接收信号的装置(ATN)，其中，所述衰减装置(ATN)包括所述功率晶体管(M1)以及能够将所述功率晶体管(M1)置于三极管模式的控制装置(MCOM)。
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