[实用新型]一种短路检测及保护电路有效

专利信息
申请号: 201720499176.5 申请日: 2017-05-08
公开(公告)号: CN207053161U 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 李东瑞;张丹 申请(专利权)人: 无锡市比奥迪科技有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08
代理公司: 无锡市朗高知识产权代理有限公司32262 代理人: 赵华
地址: 214121 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种短路检测及保护电路,检测电路、保护电路,所述保护电路包括有光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放电阻3R1和EPLD,所述光耦Ⅰ的输入端接EPLD输出端,光耦Ⅰ输出端接MOS管ⅠG极,光耦Ⅰ输出信号驱动MOS管Ⅰ通断,所述MOS管Ⅰ的D极经功放电阻3R1后接负载钼丝,MOS管ⅠG极接收高电平导通,S极电压上升;所述检测电路包括有采样电阻3R2、可控稳压源、光耦Ⅱ,所述采样电阻3R2一端接地,另一端接MOS管Ⅰ的S极,判断加工处于短路状态或是空载状态,若是加工短路状态,可控稳压源、光耦Ⅱ导通,EPLD将停止发震荡信号给光耦,避免短路电流大造成短断丝,直到检测到钼丝不处在短路状态时EPLD再发震荡信号,根据相应的状态做出相应的调整使其处在稳定状态下加工。
搜索关键词: 一种 短路 检测 保护 电路
【主权项】:
一种短路检测及保护电路,包括:检测电路、保护电路,其特征在于:所述保护电路包括有:光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放电阻3R1和可擦除可编辑逻辑器件(以下简称:EPLD),所述光耦Ⅰ的输入端接EPLD输出端,光耦Ⅰ输出端接MOS管Ⅰ栅极(G极),利用光耦Ⅰ输出信号驱动MOS管Ⅰ,所述MOS管Ⅰ的漏极(D极)经功放电阻3R1后接负载钼丝;所述检测电路包括有:采样电阻3R2、可控稳压源、光耦Ⅱ,所述采样电阻3R2一端接地,另一端接MOS管Ⅰ的源极(S极),用于检测MOS管Ⅰ的负载钼丝状态,所述可控稳压源参考极接采样电阻3R2与MOS管Ⅰ源极(S极)公共端,所述可控稳压源阴极(R极)接光耦Ⅱ输入端,所述光耦Ⅱ输出端接EPLD输入端,用于将加工状态反馈于EPLD。
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