[实用新型]一种短路检测及保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及线切割加工领域，尤其涉及往复走丝脉冲电源的一种短路检测及保护电路，用于减小钼丝损耗、降低断丝机率。

背景技术

目前市场应用的脉冲电源，加工效率，表面光洁度普遍较低，钼丝损耗大，加大电流后容易断丝，经研究发现断丝和钼丝损耗大是由于放电能量加大后加工状态不稳导致短路此时峰值电流升高所引起的，因此对短路状态检测及保护尤为重要为解决上述问题本研究出脉冲电源的一种短路检测及保护电路。

实用新型内容

本专利申请提供了带有短路检测及短路保护的脉冲电源，能够降低钼丝损耗、提高效率表面光洁度和精度，本实用新型采用以下技术方案：一种短路检测及保护电路，包括：检测电路、保护电路，所述保护电路包括有：光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放电阻3R1和可擦除可编辑逻辑器件（以下简称：EPLD），所述光耦Ⅰ的输入端接EPLD输出端，光耦Ⅰ输出端接MOS管Ⅰ栅极（G极），利用光耦Ⅰ输出信号驱动MOS管Ⅰ，所述MOS管Ⅰ的漏极（D极）经功放电阻3R₁后接负载钼丝；所述检测电路包括有：采样电阻3R2、可控稳压源、光耦Ⅱ，所述采样电阻3R2一端接地，另一端接MOS管Ⅰ的源极（S极），用于检测MOS管Ⅰ的负载钼丝状态，所述可控稳压源参考极接采样电阻3R2与MOS管Ⅰ源极（S极）公共端，所述可控稳压源阴极（R极）接光耦Ⅱ输入端，所述光耦Ⅱ输出端接EPLD输入端，用于将钼丝负载状态反馈于EPLD。

优选的，所述保护电路中，电阻1R2与光耦Ⅰ输出端的公共端还连接有电阻1R1，电阻1R1另一端接地。

优选的，所述保护电路中，MOS管Ⅰ为N型，MOS管ⅠD极的功放电阻3R1与续流二极管D₁ 反向并联，用于保护MOS管Ⅰ。

优选的，所述可控稳压源Ⅰ可采用TL431，所述可控稳压源Ⅰ的A极接地、K极连接电阻4R₁后接光耦Ⅱ。

优选的，所述光耦Ⅱ可选用M600型号，所述光耦Ⅱ的信号输出端5脚与EPLD输入

端相连，4脚与A0V相连，光耦Ⅱ的4、5脚之间接C1电容，光耦的5、6脚之间连接5R1电阻。

本实用新型的有益效果：本实用新型带有短路检测及短路保护的脉冲电源，EPLD输出高频脉冲信号经光耦Ⅰ进行隔离、经光耦Ⅰ的电信号控制MOS管Ⅰ的通断，MOS管Ⅰ的漏极经功放电阻3R₁后接钼丝，MOS管Ⅰ的源极接采样电阻3R2,通过3R2采样电阻两端的电压值来判断是空载放电，还是短路加工状态，将代表负载状态信息的电压信号通过可控稳压源、光耦Ⅱ传给EPLD，EPLD根据输入的电压信号进行高频信号的输出控制，如果是短路状态EPLD将停止发震荡信号给光耦Ⅰ，避免短路电流大造成短断丝，直到检测不到处在短路状态时EPLD再发震荡信号，根据相应的状态做出相应的调整使其处在稳定状态下加工，利用这种结构钼丝损耗明显变小、断丝机率减少，工件表面光洁度明显提高由于断丝机率降低工作效率大大提高，本专利申请中，功放电阻3R₁与续流二极管D₁ 反向并联，D1导通可消除3R1上的反电动势达到保护MOS管。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图；

图2为本实用新型的效果图；

图中，1D1为光耦Ⅰ；3V1为MOS管Ⅰ，3V1的1引脚为G极，3V1的2引脚为D极，3V1的3引脚为S极；3V2为TL431可控稳压源Ⅰ，TL431可控稳压源Ⅰ的1引脚为R极，TL431可控稳压源Ⅰ的2引脚为K极，TL431可控稳压源Ⅰ的3引脚为A极；N1为光耦Ⅱ。

具体实施方式

由图1所示可知，本实用新型提供一种短路检测及保护电路，包括：检测电路、保护电路，所述保护电路包括有：光耦Ⅰ、MOS管Ⅰ以及功放电阻3R1和可擦除可编辑逻辑器件（以下简称：EPLD），所述光耦Ⅰ的输入端接EPLD输出端，EPLD输出的高频脉冲信号给光耦Ⅰ，光耦Ⅰ进行电光电的转换，光耦Ⅰ输出端接MOS管Ⅰ栅极（G极），利用光耦Ⅰ输出信号驱动MOS管Ⅰ，所述MOS管Ⅰ的漏极（D极）经功放电阻3R1后接负载钼丝，MOS管Ⅰ栅源极电压UGS控制MOS管Ⅰ的通断，G极接收高电平脉冲信号时，MOS管Ⅰ导通，当负载钼丝处于短路加工状态时，S端电压上升。