[实用新型]医疗芯片的芯片系统

摘要

本实用新型涉及医疗保健设备领域，尤其涉及的是一种医疗芯片的芯片系统。本实用新型提供了一种医疗芯片的芯片系统，所述芯片系统包括压电陶瓷、体内电源模块、传感器、数据存储装置、数据读取装置。本实用新型所提供的一种医疗芯片的芯片系统，有效地解决了现有技术中医疗芯片体内电源模块体积重量大、精度低、稳定性差的问题，提高了抑制电压波动的性能，具有更高精度和稳定性。

主权项

一种医疗芯片的芯片系统，所述芯片系统包括压电陶瓷、体内电源模块、传感器、数据存储装置、数据读取装置，所述体内电源模块包括整流模块和稳压模块；所述整流模块包括：第一电容C1的第一端连接输入电压VIN，第一二极管D1的正极连接第一电容C1的第二端，第二二极管D2的正极连接第一电容C1的第二端、负极接地电压，第二电容C2的第一端连接第一二极管D1的负极、第二端接地电压，所述稳压模块包括：第三电容C3的一端连接第一二极管D1的负极，第三电容C3的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地电压，第一NMOS管N1的栅极连接第一PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的源极，第一PMOS管P2的源极连接第一二极管D1的负极，第一PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地电压；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源极连接第一二极管D1的负极，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的栅极连接第一运算放大器OP1的输出端并与第一NMOS管N1的漏极相连，第二PMOS管P3的漏极连接第一运算放大器OP1的正向输入端、第一PMOS管P2的栅极以及第一三极管Q1的发射极，第一三极管Q1的集电极和基极接地电压，第一电阻R1的一端连接第一三极管Q1的发射极，另一端接地电压；第三PMOS管P4的漏极连接第一运算放大器OP1的反向输入端以及第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端连接第二三极管Q2的发射极，第二三极管Q2的集电极和基极均接地电压，电阻第三电阻R3的一端连接第二三极管Q2的发射极，另一端接地电压；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源极均连接第一二极管D1的负极，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第四PMOS管P5的漏极连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第四电阻R4的一端，第四电阻R4的另一端连接第三NMOS管N3的栅极和漏极，第三NMOS管N3的源极接地电压，第五PMOS管P6的漏极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第四NMOS管N4的漏极，第四NMOS管N4的栅极连接第二运算放大器OP2的反向输入端和第五电阻R5的一端，第四NMOS管N4的源极接地电压；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源极连接第一二极管D1的负极，第六PMOS管P7的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第六PMOS管P7的漏极连接第七PMOS管P8的漏极，第七PMOS管P8的源极连接第一二极管D1的负极，第七PMOS管P8的栅极连接第一NMOS管N1的漏极，第七PMOS管P8的漏极连接输出端VOUT，第六电阻R6的第一端连接第七PMOS管P8的漏极，第六电阻R6的第二端接地电压。