[实用新型]一种GaAs微电子集成器件的外延结构有效
| 申请号： | 201720336972.7 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN206819995U | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs微电子集成器件的外延结构，由下至上依次包括衬底、N‑GaAs集电区层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N+‑GaAs帽层、器件隔离层、AlN层，该GaAs微电子集成器件的外延结构中采用N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层和P‑GaAs基区层，相比于传统的AlGaAs/GaAs，InGaP/GaAs相比，具有更大的导带能带差和价带能带差，使得AlxGa0.52‑xIn0.48P/GaAs HBT的电流增益较大，并有较好的温度稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 微电子 集成 器件 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaAs微电子集成器件的外延结构，其特征在于，由下至上依次包括衬底、N‑GaAs集电区层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N+‑GaAs帽层、器件隔离层、AlN层。
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