[实用新型]一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路有效
申请号: | 201720237863.X | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206584249U | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 杜彦卿 | 申请(专利权)人: | 沈阳市科海融生科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 苏胜 |
地址: | 110000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路,属于集成电路技术领域。该防止可控硅误触发电路,应用于智能床垫控制电路中,所述智能床垫控制电路包括处理器和插座。所述防止可控硅误触发电路包括N沟道MOS管和双向可控硅。所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接,所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接,所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接,所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接,所述N沟道MOS管的漏极还接地。本实用新型提供的防止可控硅误触发电路具备体积小、成本低、靠性高以及使用寿命长等优点。 | ||
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【主权项】:
一种防止可控硅误触发电路,其特征在于,应用于智能床垫控制电路中,所述智能床垫控制电路包括处理器和插座,所述防止可控硅误触发电路包括:N沟道MOS管和双向可控硅,所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接,所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接,所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接,所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接,所述N沟道MOS管的漏极还接地,所述双向可控硅的另一端用于与所述插座的第一插针连接,所述双向可控硅的一端还用于与所述插座的第二插针连接。
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