[实用新型]一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，具体涉及一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路。

背景技术

随着工农业和科技的发展，人民生活水平的不断提高，越来越多的智能设备进入了人们的生活，在给人们带来便捷的同时，人们对智能设备的性能也提出了新的要求，例如，在安全性、便捷性、可靠性等方面。例如，在电路的安全性能方面，目前普遍采用继电器和电阻来防止可控硅误触发，虽然在一定程度上解决了可控硅触发电路误触发的问题，但是由于继电器自身存在面积大、寿命短以及在使用时存在噪音大等缺陷，导致该防止可控硅误触发的电路不能应用于微型电路板中和对噪音有限制条件的医疗器械和生活环境中，以及使用一段时间后，因继电器寿命短而损坏，导致不能达到预先的效果，已经不能满足要求。因此在集成电路的安全性能方面，特别是防止可控硅误触发方面，急需一种满足新标准的新型防止可控硅误触发的电路来更换现有的电路。

实用新型内容

鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种防止可控硅误触发电路及智能床垫控制电路，以有效地改善上述问题。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型实施例提供了一种防止可控硅误触发电路，应用于智能床垫控制电路中，所述智能床垫控制电路包括处理器和插座。所述防止可控硅误触发电路包括：N沟道MOS管和双向可控硅。所述N沟道MOS管的栅极用于与所述处理器的第一管脚连接，所述N沟道MOS管的漏极与所述双向可控硅的控制端连接，所述N沟道MOS管的漏极还用于与所述处理器的第二管脚连接，所述N沟道MOS管的源极与所述双向可控硅的一端连接，所述N沟道MOS管的漏极还接地。所述双向可控硅的另一端用于与所述插座的第一插针连接，所述双向可控硅的一端还用于与所述插座的第二插针连接。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：第一电阻，所述第一电阻的一端与所述双向可控硅的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述双向可控硅的控制端连接。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：第二电阻，所述N沟道MOS管的栅极通过所述第二电阻与所述处理器连接。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：第三电阻，所述N沟道MOS管的漏极通过所述第三电阻与所述处理器连接。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：发光二极管，所述N沟道MOS管的漏极还通过所述发光二极管接地。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：第四电阻，所述N沟道MOS管的漏极还通过所述发光二极管与所述第四电阻串联后接地。

在本实用新型较佳的实施例中，所述防止可控硅误触发电路还包括：寄生二极管，所述寄生二极管的一端与所述N沟道MOS管的源极连接，所述寄生二极管的另一端与所述N沟道MOS管的漏极连接。

本实用新型实施例还提供了一种智能床垫控制电路，包括：阻容降压电路、处理器、插座和上述的防止可控硅误触发电路，所述防止可控硅误触发电路中的N沟道MOS管的栅极与所述处理器的第一管脚连接，所述N沟道MOS管的漏极与所述处理器的第一管脚连接，所述防止可控硅误触发电路中的双向可控硅的一端还与所述插座的第二插针连接，所述双向可控硅的另一端与所述插座的第一插针连接；所述阻容降压电路包括：第一电容、第二电容、第五电阻、第一二极管、第二二极管和第三二极管，所述第一电容并联在所述第五电阻的两端，所述第一电容的一端与所述插座的第三插针连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极连接，所述第一二极管的负极分别与所述第二电容的一端和所述第三二极管的一端连接，所述第二二极管的正极分别与所述第二电容的另一端、所述第三二极管的另一端和所述插座的第二插针连接，所述第二二极管的正极还接地。

在本实用新型较佳的实施例中，还包括：第六电阻和第三电容，所述第六电阻与所述第五电阻串联后并联在所述第一电容的两端，所述第三电容并联在所述第一电容的两端。

在本实用新型较佳的实施例中，还包括：第七电阻、第八电阻、第四电容、第五电容和第六电容，所述第一二极管的负极经所述第七电阻与所述第八电阻串联后与所述第三二极管的一端连接，所述第四电容、所述第五电容和所述第六电容均并联在所述第三二极管的两端。

本实用新型的有益效果是：