[实用新型]包含倒四棱锥绒面结构的单晶硅片及太阳能电池有效
| 申请号： | 201720105138.7 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN206490072U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王燕;赵燕;陈全胜;吴俊桃;刘尧平;徐鑫;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 北京普扬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华创博为知识产权代理有限公司11551 | 代理人： | 张波涛,管莹 |
| 地址： | 100190 北京市平谷区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及包含倒四棱锥绒面结构的单晶硅片及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。首先提供了一种包含倒四棱锥绒面结构的单晶硅片，所述硅片表面随机分布有倒四棱锥组，所述倒四棱锥组包括一种或多种高与底边边长的比为0.7‑6∶1的倒四棱锥。本实用新型还提供了一种采用上述单晶硅片的太阳能电池。实现了低反射、低复合、易填充的特性，使得电池效率有了明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 棱锥 结构 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种包含倒四棱锥绒面结构的单晶硅片，所述硅片表面随机分布有倒四棱锥组，所述倒四棱锥组包括一种或多种高与底边边长的比为0.7‑6∶1的倒四棱锥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京普扬科技有限公司，未经北京普扬科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720105138.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
