[实用新型]一种宽禁带半导体器件有效
| 申请号： | 201720101294.6 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206490069U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张振中;孙军;和巍巍;汪之涵;颜剑 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种宽禁带半导体器件，包括终端结构区、有源区、以及所述有源区与所述终端结构区之间的过渡区域，所述有源区包括第一区域和第二区域，所述第一区域靠近和/或位于所述器件四周，所述第二区域靠近和/或位于所述器件中心，所述第一区域和所述第二区域直接电连接，和/或分别与所述器件的其他区域电连接；所述第一区域的单位面积内肖特基接触区与P型掺杂区宽度的比值γ第一区域比所述第二区域的比值γ第二区域大。本实用新型的器件有源区内部至外部，使单位面积内肖特基接触区与P型掺杂区宽度的比值呈逐步增大趋势，有利于降低在均匀γ设计中器件温度不均匀的程度，从而可以提高器件正常工作时实际的电流导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体器件，包括终端结构区、有源区、以及所述有源区与所述终端结构区之间的过渡区域，其特征在于，所述有源区包括第一区域和第二区域，所述第一区域靠近和/或位于所述器件四周，所述第二区域靠近和/或位于所述器件中心，所述第一区域和所述第二区域直接电连接，和/或分别与所述器件的其他区域电连接；所述第一区域的单位面积内肖特基接触区与P型掺杂区宽度的比值γ第一区域比所述第二区域的单位面积内肖特基接触区与P型掺杂区宽度的比值γ第二区域大，用于使所述器件内部至外部的电流导通能力呈逐渐增大趋势，从而使所述器件外部比所述器件内部产生较多的热量。
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