[发明专利]颅内压力传感器、检测设备及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711498603.9 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108209900A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 王军波;魏秋旭;陈德勇;陈健 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: A61B5/03 分类号: A61B5/03
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种颅内压力传感器,包括:压力敏感电容,其电容值随颅内压力变化而变化,包括:压力敏感层,其形变量随颅内压力变化而改变;第一电极层和第二电极层,分别形成于所述压力敏感层的两侧,形成电容结构,其间距随所述压力敏感层的形变量改变而变化;以及柔性包裹层,包裹于所述压力敏感层、所述第一电极层和所述第二电极层外侧,贴附于颅骨和硬膜之间;以及固定电感,与所述压力敏感电容形成LC振荡电路,植入于颅骨内,用于将电容信号转换为谐振频率信号,并耦合至外部检测设备,获取颅内压力值。植入颅内的传感器电容部分采用柔性材料,对颅内组织损伤极小,可极大降低颅内出血等并发症风险;柔性材料易与脑膜贴合,测量更为精准。
搜索关键词: 颅内压力 压力敏感层 电容 第二电极 第一电极 柔性材料 压力敏感 形变量 传感器 颅骨 颅内 植入 外部检测设备 谐振频率信号 传感器电容 柔性包裹层 电容结构 电容信号 固定电感 检测设备 颅内出血 组织损伤 耦合 并发症 脑膜 贴附 贴合 硬膜 制备 测量 转换
【主权项】:
1.一种颅内压力传感器,包括:压力敏感电容,其电容值随颅内压力变化而变化,包括:压力敏感层,其形变量随颅内压力变化而改变;第一电极层和第二电极层,分别形成于所述压力敏感层的两侧,形成电容结构,其间距随所述压力敏感层的形变量改变而变化;以及柔性包裹层,包裹于所述压力敏感层、所述第一电极层和所述第二电极层外侧,贴附于颅骨和硬膜之间;以及固定电感,与所述压力敏感电容形成LC振荡电路,植入于颅骨内,用于将电容信号转换为谐振频率信号,并耦合至外部检测设备,获取颅内压力值。
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