[发明专利]一种改善超级电容器自放电的方法有效
| 申请号： | 201711487830.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231432B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 于圣明;胡韬;解明 | 申请（专利权）人： | 武汉艾特米克超能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 11228 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电化学技术领域，尤其是涉及一种改善超级电容器自放电的方法，该方法包括如下步骤：1）将活性碳电极作为基底放入真空反应腔室中；2）向真空反应腔室中通入第一前驱气体，第一前驱气体与活性碳电极的表面官能团发生反应；3）用惰性气体冲洗；4）以第一前驱气体为金属源，以第二前驱气体为氧源，将第一前驱气体和第二前驱气体通入真空反应腔室中，在惰性气体氛围中，进行原子层沉积循环，直至在形成目标厚度的金属氧化物薄膜。采用原子层沉积技术将金属氧化物沉积在活性碳电极表面形成包覆层，改善碳电极表面结构，增强超级电容器在使用过程当中的稳定性；可通过控制反应进行的周期数即能达到简单精确控制薄膜生长所需厚度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱气体 超级电容器 活性碳电极 真空反应腔室 自放电 电化学技术领域 金属氧化物薄膜 金属氧化物沉积 原子层沉积技术 惰性气体氛围 基底放入真空 表面官能团 原子层沉积 薄膜生长 表面结构 表面形成 惰性气体 反应腔室 包覆层 金属源 碳电极 周期数 氧源 冲洗 | ||
【主权项】：
1.一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：/nS1，将活性碳电极作为基底放入原子层沉积设备的真空反应腔室中；/nS2，向真空反应腔室中通入第一前驱气体，第一前驱气体与活性碳电极的表面官能团发生反应；/nS3，用惰性气体冲洗未参加反应的第一前驱气体及反应所产生的副产物；/nS4，以第一前驱气体为金属源，以第二前驱气体为氧源，将第一前驱气体和第二前驱气体通入真空反应腔室中，在惰性气体氛围中，进行原子层沉积循环，直至在所述活性碳电极表面上形成目标厚度的金属氧化物薄膜。/n
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