[发明专利]一种改善超级电容器自放电的方法有效
| 申请号： | 201711487830.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231432B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 于圣明;胡韬;解明 | 申请（专利权）人： | 武汉艾特米克超能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 11228 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 前驱气体 超级电容器 活性碳电极 真空反应腔室 自放电 电化学技术领域 金属氧化物薄膜 金属氧化物沉积 原子层沉积技术 惰性气体氛围 基底放入真空 表面官能团 原子层沉积 薄膜生长 表面结构 表面形成 惰性气体 反应腔室 包覆层 金属源 碳电极 周期数 氧源 冲洗 | ||
1.一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S1，将活性碳电极作为基底放入原子层沉积设备的真空反应腔室中；
S2，向真空反应腔室中通入第一前驱气体，第一前驱气体与活性碳电极的表面官能团发生反应；
S3，用惰性气体冲洗未参加反应的第一前驱气体及反应所产生的副产物；
S4，以第一前驱气体为金属源，以第二前驱气体为氧源，将第一前驱气体和第二前驱气体通入真空反应腔室中，在惰性气体氛围中，进行原子层沉积循环，直至在所述活性碳电极表面上形成目标厚度的金属氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于，步骤S4中原子层沉积的一个循环反应包括如下步骤：
S401，通入第一前驱气体，进行原子层沉积；
S402，用惰性气体冲洗未参加反应的第一前驱气体及反应所产生的副产物；
S403，通入第二前驱气体，进行原子层沉积，形成金属氧化物薄膜；
S404，用惰性气体冲洗未参加反应的第二前驱气体及反应所产生的副产物。
3.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：所述第一前驱气体为金属卤化物或金属有机配合物，第二前驱气体为水蒸气。
4.如权利要求3所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：所述第一前驱气体为Al(CH)3、Ru(EtCp) 2、TiCl4、SnCl4或Zn(CH2CH3)2。
5.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：步骤S2中的反应温度与步骤S4中的反应温度均为100-300℃。
6.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：每个循环反应所沉积的金属氧化物的厚度为1-1.2Å。
7.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：步骤S4中原子层沉积循环反应的周期数为5-100。
8.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：步骤S2中所述活性碳电极的表面官能团包括羧基、羧酸酐、内酯基、酚基、醌基、醚基、羰基中的至少一种。
9.如权利要求1所述的一种改善超级电容器自放电的方法，其特征在于：所述惰性气体为高纯氩气。
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