[发明专利]一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法

摘要

一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。

主权项

1.一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，分别考虑薄膜厚度和质量对入射紫外光的吸收、光生电流及响应速度等影响因素，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；2)溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；3)用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器。